大功率MOS场效应管在中波发射机中的通信技术

　中图分类号TN93 文献标识码A 文章编号 1674-6708（2013）83-0190-02
　　0 引言
　　随着科学技术的发展，中波发射机技术也在不断地革新发展。目前，电子管中波发射机已经逐步被淘汰，取而代之的是大功率MOS场效应管全固态发射机。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管）。MOS管优越的特性，可以使整个射频功率放大器工作在开关状态，从而提高整机效率，改善技术性能，同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围，有利于设备的稳定运行，节约了定时更换电子管昂贵的维护成本。本文对大功率场效应管在中波发射机射频功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用进行了探讨。
　　1 大功率MOS场效应管基础知识
　　1.1 N沟道增强型MOS管的结构原理
　　中波发射机功放模块使用的场效应管主要有IRF250和IRF350，这两种场效应管都属于N沟道增强型MOS管。图1是N沟道增强型MOS管的结构原理图及电路符号。
　　3 大功率CMOS场效应管使用及维护
　　3.1 用数字万用表检测场效应管的方法
　　1）放在欧姆档，红笔接G，黑笔接S，GS间的输入电容被正向充电， GS间电阻应很大；
　　2）红笔接D，黑笔接S，此时DS应该导通，若测得电阻阻值很小，证明DS导通；
　　3）黑笔接G，红笔接S，GS间的输入电容被反向充电，此时DS被“夹断”而截止；
　　4）红笔接D，黑笔接S，DS 间电阻应很大。
　　此外，由于DS间寄生有二极管，用二极管档测试时，红笔接S，黑笔接D，二极管应导通，显示数值为二极管的正向导通电压值。
　　3.2 CMOS场效应管使用及维护
　　无论是PDM还是DAM中波发射机，场效应管大多是击穿短路损坏，此时用万用表测量其所接保险管应损坏，损坏的场效应管G、S、D各级间电阻为零。
　　取下场效应管：1）用吸锡器配合电烙铁去除焊锡。由于电路板覆铜很细，故应该非常小心，电烙铁最好不超过30W；2）取下散热片及场效应管连接固定的螺丝，由于场效应管是粘在绝缘片上的，应小心将场效应管从散热垫片上撬下，不要损坏绝缘片；3）从模块板上取下场效应管。
　　注意：由于IRF250和IRF350外观一致，更换前一定到仔细核对型号。IRF250的参数为400V、14A，IRF350的参数为200V、30A，工作电压和电流都不同，如果更换错误，换上的管子将会烧毁。
　　参考文献
　　[1]国家广播电影电视总局无线电台管理局.数字化调幅发射机.
　　[2]上海明珠广播电视科技有限公司厂家资料.TSD-25 DAM全固态中波数字调幅广播发射机.